防反接很重要，这4个常用电路请收好！

　对于平常日用的一些产品，产品在进行设计时就会考虑这个问题，客户只是简单的利用插头进行电源的连接，所以一般采用防插错接头，这是种简单，低价而有效的方法。

　　但是，对于产品处于工厂生产阶段，可能不便采用防插错接头，这可能就会造成由于生产人员的疏忽造成反接，带来损失。

　　所以给电路增加防反接电路有时还是有必要的，尽管增加了成本。

　　下面就说说常用的防反接电路：

　　优点：电路简单，成本较低。适用于小电流，对成本要求比较严的产品。

　　缺点：由于二ji管的PN结在导通时，存在一个压降，一般在0.7V以下。这个压降就导致这种电路不适合应用在电流较大的电路中，如果电路有10A的电流，那么二ji管的功耗就是0.7*10=7W，发热量还是很可观的。在结构紧凑空间有限的产品中，对产品的稳定性或人的使用感受上影响还是比较大的。

　　对于上面提到的二ji管的压降问题，有没有办法克服呢？看下面的电路的防接反电路采用了一个保险丝和一个反向并联的二ji管，电源ji性正确，电路正常工作时，由于负载的存在电流较小，二ji管处于反向阻断状态，保险丝不会被熔断。

　　当电源接反时，二ji管导通，此时的电流比较大，就会将保险丝熔断，从而切断电源的供给，起到保护负载的作用。

　　优点：保险丝的压降很小，不存在发热问题，成本不高。

　　缺点：一旦接反需要更换保险丝，操作比较麻烦。

　　由于场效应管的制作工艺，决定了场效应管的导通电阻比较小。

　　场效应管是现在很常用的开关器件，特别是在大功率的场合。以TO-252封装的IRFR1205为例，其主要参数如下：Vdss=55V，Id=44A，Rds=0.027欧姆，可以看到其导通电阻只有27毫欧。

　　这个电路的zui大一个特点就是场效应管的Dji和Sji的接法。通常香蕉啪啪啪啪黄片在使用N沟道的增强型的MOS管时，一般是电流由Dji进入而从Sji流出。应用在这个电路中时则正好相反。

　　曾经在一个论坛中看到过这个电路，发布这个电路的楼主被众多网友痛批。说是DS之间存在一个二ji管根本没法实现。楼主没有注明场效应管的管脚名称，由于存在一个应用场效应管的惯性思维，导致楼主蒙冤。其实场效应管只要在G和Sji之间建立一个合适的电压就会完全导通。导通之后D和S之间就像是一个开关闭合了，电流是从D到S或S到D都一样的电阻。在电源ji性正确时，电流起始时通过场效应管的稳压管导通，Sji电压接近0V。两个电阻分压后，为G提供电压，使场效应管导通，因为其导通阻值很小，就把场效应管内部的二ji管给替代了。

　　电源反接时，场效应管内的二ji管未到击穿电压不导通。分压电阻无电流流过无法提供Gji电压，也不导通。从而起到保护作用。

　　对于电路中并联在分压电阻上的稳压二ji管，因为场效应管的输入电阻是很高的，是一个压控型器件，Gji电压要控制在20V内，过高的电压脉冲会导致Gji的击穿，这个稳压二ji管就是起一个保护场效应管防止击穿的作用。

　　对于并联在分压电阻上的电容，有一个软启动的作用。在电流开始流过的瞬间，电容充电，Gji的电压是逐步建立起来的。

　　对于并联在场效应管D与S之间的阻容串联电路，我感觉还是值得商榷的。阻容串联电路一般用作脉冲吸收或延时。用在这里要视负载的情况而定，加了或许反而不好。毕竟这会导致在电源在反接的时候会有一个短暂的导通脉冲。